上海伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 75
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東KRI 考夫曼離子源 RPICP 140
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KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列最小型號的離子源. 適用于集成在小型的真空設(shè)備中, 例如預(yù)清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在 <1000eV 低能量, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 離子源低損傷, 寬束設(shè)計, 低成本等優(yōu)點廣泛應(yīng)用在顯微鏡領(lǐng)域, 標準配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 10 技術(shù)參數(shù)
型號 | KDC 10 |
供電 | DC magnetic confinement |
- 陰極燈絲 | 1 |
- 陽極電壓 | 0-100V DC |
- 柵極直徑 | 1cm |
中和器 | 燈絲 |
電源控制 | KSC 1202 |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
- 架構(gòu) | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 4.5' |
- 直徑 | 1.52' |
- 離子束 | 集中 |
-加工材料 | 金屬 |
-工藝氣體 | 惰性 |
-安裝距離 | 2-12” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 10 應(yīng)用領(lǐng)域
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
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伯東公司日本原裝設(shè)計制造離子蝕刻機 IBE. 提供微米級刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
伯東公司日本原裝進口小型離子蝕刻機, 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
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上海伯東日本原裝進口適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實驗室研究的離子蝕刻機, 一般通氬氣 Ar, 內(nèi)部使用美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產(chǎn)生轟擊離子; 終點檢出器采用 Pfeiffer 殘余質(zhì)譜監(jiān)測當前氣體成分, 判斷刻蝕情況.
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