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產(chǎn)品特點(diǎn)：

KRI 射頻離子源 RFICP 40
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸Z小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內(nèi). 離子源 RFICP 40 設(shè)計(jì)采用創(chuàng)新的柵極技術(shù)用于研發(fā)和開(kāi)發(fā)應(yīng)用. 離子源 RFICP 40 無(wú)需電離燈絲設(shè)計(jì), 適用于通氣氣體是活性氣體時(shí)的工業(yè)應(yīng)用. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 120 mA.

產(chǎn)品詳情：

因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)

KRI 射頻離子源 RFICP 40
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內(nèi). 離子源 RFICP 40 設(shè)計(jì)采用創(chuàng)新的柵極技術(shù)用于研發(fā)和開(kāi)發(fā)應(yīng)用. 離子源 RFICP 40 無(wú)需電離燈絲設(shè)計(jì), 適用于通氣氣體是活性氣體時(shí)的工業(yè)應(yīng)用. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 120 mA.

射頻離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無(wú)需電離燈絲, 通過(guò)射頻技術(shù)提供高密度離子, 工藝時(shí)間更長(zhǎng).
2. 離子源結(jié)構(gòu)模塊化設(shè)計(jì), 使用更簡(jiǎn)單; 基座可調(diào)節(jié), 優(yōu)化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發(fā)散, 平行的離子束
4. 離子源自動(dòng)調(diào)節(jié)技術(shù)保障柵極的使用壽命和可重復(fù)的工藝運(yùn)行
5. 柵極材質(zhì)鉬和石墨,堅(jiān)固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測(cè)量和控制電子發(fā)射,確保電荷中性

KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)	RFICP 40
Discharge 陽(yáng)極	RF 射頻
離子束流	>100 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	12.7 cm
直徑	13.5 cm
中和器	LFN 2000

KRI 射頻離子源 RFICP 40 應(yīng)用領(lǐng)域：
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學(xué)鍍膜 ) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專(zhuān)/利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

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上海伯東: 羅先生                               臺(tái)灣伯東: 王女士
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潤(rùn)滑油; 上海伯東Hakuto 離子蝕刻機(jī),離子刻蝕機(jī)

伯東公司日本原裝設(shè)計(jì)制造離子蝕刻機(jī) IBE. 提供微米級(jí)刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料; 上海伯東離子蝕刻機(jī),離子蝕刻機(jī)

伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.; 上海伯東離子蝕刻機(jī),離子刻蝕機(jī)

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上海伯東日本原裝進(jìn)口適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究的離子蝕刻機(jī), 一般通氬氣 Ar, 內(nèi)部使用美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產(chǎn)生轟擊離子; 終點(diǎn)檢出器采用 Pfeiffer 殘余質(zhì)譜監(jiān)測(cè)當(dāng)前氣體成分, 判斷刻蝕情況.; Atonarp 適用于半導(dǎo)體過(guò)程控制在線質(zhì)譜儀 Aston?

Aston? 特性實(shí)時(shí)過(guò)程控制的通用工具, 耐腐蝕性氣體, 抗冷凝半導(dǎo)體制造的分子分析原位平臺(tái), 提供實(shí)時(shí), 可操作的數(shù)據(jù) 采用等離子體電離源, 無(wú)燈絲, 更耐用可與大批量生產(chǎn)工具完全集成 Aston? 作為一個(gè)強(qiáng)大的平臺(tái), 可以取代多種傳統(tǒng)工具, 提供前所未有的控制水平, 包括光刻, 電介質(zhì)和導(dǎo)電蝕刻及沉積, 腔室清潔, 腔室匹配和消解.