原子層沉積系統(tǒng)為一種在化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用的工藝試驗(yàn)儀器。原子層沉積為一種能夠在基底表面通過單原子膜形式一層一層的鍍物質(zhì)的方法。原子層沉積類似于普通的化學(xué)沉積。然而新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)在原子層沉積過程中是直接關(guān)聯(lián)之前一層的，該種方式使每次反應(yīng)僅僅沉積一層原子。

原子層沉積系統(tǒng)研究

該技術(shù)由于原子層沉積（ALD）的自限制性和互補(bǔ)性從而能夠出色地控制薄膜的成份和厚度，所制備的薄膜由于具有較高的純度以及具有較好的均勻性以及較好的保形性，所以引起了人們十分廣泛地關(guān)注。在薄膜性質(zhì)的改善，薄膜質(zhì)量的提高，薄膜生長工藝的改進(jìn)以及對(duì)沉積機(jī)理的深入的了解方面原子尺度上的ALD過程仿真具有十分重要的意義。在對(duì)ALD的工藝特點(diǎn)及工藝過程進(jìn)行深入地了解以后，針對(duì)H-Si（100）表面上沉積Al<,2>O<,3>；的ALD過程的仿真探索研究了很多，并且一些創(chuàng)新性結(jié)果也被取得了。

通過參考Al<,2>O<,3>；的ALD過程，將原子層沉積實(shí)驗(yàn)裝置的初步設(shè)計(jì)方案給出了。

基于Al<,3>O<,4>；尖晶石晶體結(jié)構(gòu)，對(duì)仿真二維單元模型進(jìn)行構(gòu)建，通過對(duì)不同沉積階段的反應(yīng)機(jī)理進(jìn)行分析，不同沉積階段的反應(yīng)機(jī)理采用以晶體結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的動(dòng)力學(xué)蒙特卡羅方法來進(jìn)行模擬，對(duì)前驅(qū)體到達(dá)、表面化學(xué)反應(yīng)、表面解吸三種不同的事件模型加以建立。ALD過程中氣體脈沖的交替循環(huán)通過時(shí)間管理來實(shí)現(xiàn)。