原子層沉積系統(tǒng)為一種在化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用的工藝試驗(yàn)儀器。原子層沉積為一種能夠在基底表面通過(guò)單原子膜形式一層一層的鍍物質(zhì)的方法。原子層沉積類似于普通的化學(xué)沉積。然而新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)在原子層沉積過(guò)程中是直接關(guān)聯(lián)之前一層的，該種方式使每次反應(yīng)僅僅沉積一層原子。

原子層沉積主要功能

應(yīng)用范圍： 

1、能夠沉積金屬Pt， Ir以及金屬氧化物ZnO，TiO2， Al2O3，SnO2等材料類型。

2、納米線的涂層，納米顆粒的涂層，納米孔內(nèi)部的涂層，中空納米碗，存儲(chǔ)硅量子點(diǎn)涂層，高高寬比納米圖形，納米晶體，納米結(jié)構(gòu)，隧道勢(shì)壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制以及中空納米管等納米技術(shù)領(lǐng)域。

3、集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層，DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層，集成電路中的互連種子層，光電元件的涂層以及晶體管柵極電介質(zhì)層（高k材料）等半導(dǎo)體領(lǐng)域。

功能：

高度可控的沉積參數(shù)（厚度，成份和結(jié)構(gòu)）以及優(yōu)異的沉積均勻性和一致性。 

原子層沉積技術(shù)指標(biāo)

指標(biāo)：Al2O3：300攝氏度,500次循環(huán)，厚度 TMA+H2O；該技術(shù)由于原子層沉積（ALD）的自限制性和互補(bǔ)性從而能夠出色地控制薄膜的成份和厚度。所制備的薄膜具有較好的均勻性和保形性以及具有較高的純度。熱ALD沉積Al2O3薄膜厚度均勻性：襯底：4英寸硅片；測(cè)試方法：9點(diǎn)。