原子層沉積系統(tǒng)為一種在化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用的工藝試驗(yàn)儀器。原子層沉積為一種能夠在基底表面通過單原子膜形式一層一層的鍍物質(zhì)的方法。原子層沉積類似于普通的化學(xué)沉積。然而新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)在原子層沉積過程中是直接關(guān)聯(lián)之前一層的，該種方式使每次反應(yīng)僅僅沉積一層原子。

原子層沉積技術(shù)應(yīng)用

原子層沉積技術(shù)因?yàn)槠涓叨瓤煽氐某练e參數(shù)（厚度，成份和結(jié)構(gòu)），沉積均勻性和一致性的優(yōu)異，使得其廣泛地應(yīng)用于微納電子和納米材料等領(lǐng)域，具有相當(dāng)高的潛力。通過已經(jīng)發(fā)表的相關(guān)論文和報(bào)告能夠推測(cè)出，該技術(shù)可能應(yīng)用的主要領(lǐng)域如下：

1、互連線勢(shì)壘層

2、互連線銅電鍍沉積籽晶層

3、DRAM、MRAM介電層

4、嵌入式電容

5、電磁記錄磁頭

6、各類薄膜（低于100納米）

7、金屬柵電極以及晶體管柵極介電層

8、微電子機(jī)械系統(tǒng)

9、光電子材料和器件

10、集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層

11、平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED）

原子層沉積應(yīng)用

納米技術(shù)領(lǐng)域

納米線的涂層，納米孔內(nèi)部的涂層，納米顆粒的涂層，存儲(chǔ)硅量子點(diǎn)涂層，中空納米碗，納米結(jié)構(gòu)，ZnSe涂層，納米晶體，微機(jī)電系統(tǒng)的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層，高高寬比納米圖形，納米孔道尺寸的控制，光電電池性能的提高，隧道勢(shì)壘層以及中空納米管。

原子層沉積技術(shù)還包括上述領(lǐng)域所不能代表的可能應(yīng)用領(lǐng)域。越來(lái)越多的應(yīng)用將會(huì)隨著科技的發(fā)展在將來(lái)被發(fā)現(xiàn)。各類不同的材料按照該技術(shù)的反應(yīng)原理特征均能夠沉積出來(lái)。金屬、氧化物、碳（氮、硫、硅）化物、各類半導(dǎo)體材料和超導(dǎo)材料等為已經(jīng)沉積的材料。