全文請訪問：http://www.spm.com.cn/papers/p56.pdf
使用超高真空PECVD薄膜沉積系統(tǒng)制備的納米硅薄膜（nc－Si:H）具有高電導特性唯理論探討其導電機制，先使用K.Yoshida早期提出的兩相無序結(jié)構(gòu)有效電導模型分別對晶粒電導和界面電導進行了理論計算指出，nc－Si:H膜中高電導主要來自于細微晶粒的傳導，界面可視之為非導體另一方面，實驗證實nc－Si:H膜的電導率隨平均晶粒尺寸減小而增大，具有明顯的小尺寸效益文中S次提出，nc－Si:H膜的微晶粒具有異質(zhì)結(jié)量子點（HQD）特性，并按此模型對nc－Si:H膜的電導率實驗曲線進行了討論理論與實驗結(jié)果符合得很好又得出，硅薄膜結(jié)構(gòu)在其晶態(tài)體積百分比Xc=0.30和0.70處呈現(xiàn)出兩個明顯的相變點 全文請訪問：http://www.spm.com.cn/papers/p56.pdf 掃描探針顯微鏡(SPM/AFM/STM)