上海伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 75
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東KRI 考夫曼離子源 RPICP 140
上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 100, 屬于中型規(guī)格柵網(wǎng)離子源. 離子束可選聚焦/ 平行/ 散射.
離子束流: >400 mA; 離子動能: 100-1200 V; 流量: 2-20 sccm; 中和器: 燈絲.
采用雙陰極燈絲和自對準柵網(wǎng).加熱燈絲產(chǎn)生電子, 增強設計輸出高質(zhì)量, 穩(wěn)定的電子流.
離子源采用模塊化設計, 方便清潔/ 保養(yǎng)/ 維修/ 安裝.
通入氣體可選 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others.
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 100 技術參數(shù):
離子源型號 | 離子源 KDC 100 |
Discharge | DC 熱離子 |
離子束流 | >400 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 12 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-20 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 23.5 cm |
直徑 | 19.4 cm |
中和器 | 燈絲 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
伯東KRI 考夫曼離子源 KDC 100 應用領域:
1.濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
2.輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
3.表面改性, 激活 SM
4.離子濺射沉積和多層結構 IBSD
5.離子蝕刻 IBE
KRI 考夫曼離子源 Gridded KDC 系列應用案例:
1. 伯東 KRI 離子源成功應用于離子濺射鍍膜 (IBSD)
2. 伯東 KRI Gridded 考夫曼離子源用于離子束拋光工藝
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡方式:
上海伯東: 羅小姐 臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 108 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1322 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958
qq: 2821409400
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
現(xiàn)部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權所有, 翻拷必究!
報價:¥520000
已咨詢561次KRI 考夫曼離子源
報價:面議
已咨詢660次KRI 考夫曼離子源
報價:面議
已咨詢381次KRI 考夫曼離子源
報價:面議
已咨詢331次KRI 考夫曼離子源
報價:¥400000
已咨詢623次KRI 考夫曼離子源
報價:¥350000
已咨詢676次KRI 考夫曼離子源
報價:¥700000
已咨詢631次KRI 考夫曼離子源
報價:¥500000
已咨詢712次KRI 考夫曼離子源
VIM-2 優(yōu)勢: 10 mbar(暖容器)~ 5×10?? mbar(低溫容器) 鋰電池供電(>3 小時續(xù)航),藍牙/Win 端遠程操作 無電子穿透真空,抗腐蝕(1.4404/1.4034 不銹鋼) <1% 年漂移率,無需校準 1s 響應(快模式),內(nèi)置 1023 組數(shù)據(jù)記錄 1 個讀數(shù)頭可匹配多個傳感器,降低部署成本
超高精度:0.1 mbar至1×10?? mbar范圍內(nèi)達讀數(shù)±1% 100%線性壓力讀數(shù)(與氣體種類無關) 長期穩(wěn)定性:年漂移率<1.5% 不銹鋼傳感器抗腐蝕與沉積 安全潔凈測量:無污染/無熱輻射/無電離效應
潤滑油
伯東公司日本原裝設計制造離子蝕刻機 IBE. 提供微米級刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
伯東公司日本原裝進口小型離子蝕刻機, 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
伯東公司日本原裝進口小型離子蝕刻機, 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
上海伯東日本原裝進口適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實驗室研究的離子蝕刻機, 一般通氬氣 Ar, 內(nèi)部使用美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產(chǎn)生轟擊離子; 終點檢出器采用 Pfeiffer 殘余質(zhì)譜監(jiān)測當前氣體成分, 判斷刻蝕情況.
Aston? 特性 實時過程控制的通用工具, 耐腐蝕性氣體, 抗冷凝 半導體制造的分子分析原位平臺, 提供實時, 可操作的數(shù)據(jù) 采用等離子體電離源, 無燈絲, 更耐用 可與大批量生產(chǎn)工具完全集成 Aston? 作為一個強大的平臺, 可以取代多種傳統(tǒng)工具, 提供前所未有的控制水平, 包括光刻, 電介質(zhì)和導電蝕刻及沉積, 腔室清潔, 腔室匹配和消解.