由于各種原因，CMP 研磨液中存在大顆粒、團(tuán)聚體和干燥薄片。在CMP 加工過(guò)程中，這些不需要的粒子會(huì)在拋光的晶片上造成劃傷。[1,2]盡管大多數(shù)研磨液供應(yīng)商在生產(chǎn)過(guò)程中已經(jīng)采用了過(guò)濾工藝降低這些不良顆粒，但是這些顆粒往往由于不穩(wěn)定的化學(xué)反應(yīng)和處理步驟而緩慢團(tuán)聚。

形 成不良顆粒的一些假定來(lái)源包括：容器和日間槽中的干燥、稀釋過(guò)程中pH 值沖擊、隨著時(shí)間的沉淀、運(yùn)輸或者存儲(chǔ)過(guò)程中的溫度波動(dòng)、以及濃縮漿過(guò)度回流造成的剪切、流動(dòng)受阻等。