美國 KRi 射頻離子源應(yīng)用于氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)制備系統(tǒng)
上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 40 成功應(yīng)用于氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)制備系統(tǒng), 協(xié)助客戶完成 MgO, Y2O3, Al2O3 等金屬氧化物在 6寸單晶硅上均勻沉積多層膜的需要, 單晶硅鍍氧化薄膜的工藝過程, 用于研發(fā)磁學(xué)薄膜, 半導(dǎo)體薄膜, 光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等.

KRi 射頻離子源在氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)制備系統(tǒng)中的作用
設(shè)備: 氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)制備系統(tǒng)
離子源型號: KRi 射頻離子源 RFICP 40, 功率 600W, 頻率 13.56MHz
應(yīng)用: 通過 IBAD 輔助鍍膜工藝, 實現(xiàn)單晶硅氧化物薄膜的制備.
膜厚均勻性: 6 英寸樣品, 蒸 MgO 薄膜 200nm, 片內(nèi)測試 9 個點. 片內(nèi)均勻性 ≤±5%, 片間膜厚均勻性 ≤±5%, 批次間膜厚均勻性≤±5%


真空環(huán)境下, KRi 射頻離子源通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學(xué), 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 實現(xiàn)薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到需要的材料. 同時 KRi 射頻離子源可以對工藝過程優(yōu)化, 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積.

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 40 特點:
RFICP 40 是美國 KRi 射頻離子源系列尺寸Z小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內(nèi). 設(shè)計采用創(chuàng)新的柵極技術(shù)用于研發(fā)和開發(fā)應(yīng)用, 無需電離燈絲設(shè)計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業(yè)應(yīng)用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

上海伯東美國 KRi RF 射頻離子源無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長!  提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動控制器等. 適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.



上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專. KRi 離子源在真空環(huán)境中實現(xiàn)薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能, 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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