亚洲另类欧美日韩一区,91精品91精品91精品,国产亚洲综合一区三区在线播放

為你推薦

產(chǎn)品特點(diǎn)：

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, Z佳的離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.

產(chǎn)品詳情：

因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)

KRi 射頻離子源 RFICP 220
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.
KRi 射頻離子源 RFICP220

KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):

陽極	電感耦合等離子體 2kW & 2 MHz 射頻自動(dòng)匹配
最/大陽極功率	>1kW
最/大離子束流	> 1000mA
電壓范圍	100-1200V
離子束動(dòng)能	100-1200eV
氣體	Ar, O2, N2, 其他
流量	5-50 sccm
壓力	< 0.5mTorr
離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn)	OptiBeamTM
離子束柵極	22cm Φ
柵極材質(zhì)	鉬
離子束流形狀	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000, MHC 1000
高度	30 cm
直徑	41 cm
鎖緊安裝法蘭	10”CF

KRI 射頻離子源 RFICP 220 基本尺寸
射頻離子源 RFICP220
射頻離子源中和器

KRI 射頻離子源 RFICP 220 應(yīng)用領(lǐng)域：
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學(xué)鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

射頻離子源 RFICP 220 集成于半導(dǎo)體設(shè)備, 實(shí)現(xiàn) 8寸芯片蝕刻
射頻離子源 RFICP220

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專/利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領(lǐng)域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅先生                               臺(tái)灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!

您可能感興趣的產(chǎn)品

上海伯東射頻離子源 RFICP 220

報(bào)價(jià)：面議
已咨詢452次

KRI 考夫曼離子源
上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 140

報(bào)價(jià)：面議
已咨詢419次

KRI 考夫曼離子源
上海伯東大口徑射頻離子源 RFICP 380

報(bào)價(jià)：面議
已咨詢503次

KRI 考夫曼離子源
上海伯東代理射頻離子源 RFICP 220

報(bào)價(jià)：面議
已咨詢468次

KRI 考夫曼離子源
上海伯東代理射頻離子源 RFICP 100

報(bào)價(jià)：面議
已咨詢761次

KRI 考夫曼離子源
上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 140

報(bào)價(jià)：面議
已咨詢530次

KRI 考夫曼離子源
上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 40

報(bào)價(jià)：面議
已咨詢1022次

KRI 考夫曼離子源
上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 100

報(bào)價(jià)：面議
已咨詢954次

KRI 考夫曼離子源

伯東企業(yè)（上海）有限公司為你提供上海伯東射頻離子源 RFICP 220信息大全，包括上海伯東射頻離子源 RFICP 220價(jià)格、型號(hào)、參數(shù)、圖片等信息；如想了解更多產(chǎn)品相關(guān)詳情，煩請(qǐng)致電詳談或在線留言！: 移動(dòng)端：上海伯東射頻離子源 RFICP 220

相關(guān)品類
同廠商產(chǎn)品
同類產(chǎn)品
相關(guān)廠商

您可能還在找

伯東企業(yè)（上海）有限公司

新品推薦: VIM-2 便攜式真空計(jì)

VIM-2 優(yōu)勢(shì): 10 mbar（暖容器）~ 5×10?? mbar（低溫容器）鋰電池供電（>3 小時(shí)續(xù)航），藍(lán)牙/Win 端遠(yuǎn)程操作無電子穿透真空，抗腐蝕（1.4404/1.4034 不銹鋼） <1% 年漂移率，無需校準(zhǔn) 1s 響應(yīng)（快模式），內(nèi)置 1023 組數(shù)據(jù)記錄 1 個(gè)讀數(shù)頭可匹配多個(gè)傳感器，降低部署成本; DosiTorr SRG Transducer 高精度真空壓力傳感器

超高精度：0.1 mbar至1×10?? mbar范圍內(nèi)達(dá)讀數(shù)±1% 100%線性壓力讀數(shù)（與氣體種類無關(guān)）長期穩(wěn)定性：年漂移率<1.5% 不銹鋼傳感器抗腐蝕與沉積安全潔凈測(cè)量：無污染/無熱輻射/無電離效應(yīng); 上海伯東德國 Pfeiffer P3 旋片真空泵油

潤滑油; 上海伯東Hakuto 離子蝕刻機(jī),離子刻蝕機(jī)

伯東公司日本原裝設(shè)計(jì)制造離子蝕刻機(jī) IBE. 提供微米級(jí)刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料; 上海伯東離子蝕刻機(jī),離子蝕刻機(jī)

伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.; 上海伯東離子蝕刻機(jī),離子刻蝕機(jī)

伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.; 上海伯東NS離子蝕刻機(jī),離子刻蝕機(jī)

上海伯東日本原裝進(jìn)口適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究的離子蝕刻機(jī), 一般通氬氣 Ar, 內(nèi)部使用美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產(chǎn)生轟擊離子; 終點(diǎn)檢出器采用 Pfeiffer 殘余質(zhì)譜監(jiān)測(cè)當(dāng)前氣體成分, 判斷刻蝕情況.; Atonarp 適用于半導(dǎo)體過程控制在線質(zhì)譜儀 Aston?

Aston? 特性實(shí)時(shí)過程控制的通用工具, 耐腐蝕性氣體, 抗冷凝半導(dǎo)體制造的分子分析原位平臺(tái), 提供實(shí)時(shí), 可操作的數(shù)據(jù) 采用等離子體電離源, 無燈絲, 更耐用可與大批量生產(chǎn)工具完全集成 Aston? 作為一個(gè)強(qiáng)大的平臺(tái), 可以取代多種傳統(tǒng)工具, 提供前所未有的控制水平, 包括光刻, 電介質(zhì)和導(dǎo)電蝕刻及沉積, 腔室清潔, 腔室匹配和消解.