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產(chǎn)品特點(diǎn)：

上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5安培
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

KRI 霍爾離子源 eH 400 特性：
? 可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), Z大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
? 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
? 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)
? 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

產(chǎn)品詳情：

因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)

美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
? 可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 最/大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
? 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
? 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)
? 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)	eH 400 / eH 400 LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300 V VDC
- 離子源直徑	~ 4 cm
- 陽(yáng)極結(jié)構(gòu)	模塊化
電源控制	eHx-3005
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
- 陽(yáng)極	標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動(dòng)或快接法蘭
- 高度	3.0'
- 直徑	3.7'
- 加工材料	金屬電介質(zhì) 半導(dǎo)體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	6-30”
- 自動(dòng)控制	控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:
? 離子輔助鍍膜 IAD
? 預(yù)清潔 Load lock preclean
? In-situ preclean
? Low-energy etching
? III-V Semiconductors
? Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專(zhuān)/利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

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上海伯東: 羅先生                               臺(tái)灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
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M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
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超高精度：0.1 mbar至1×10?? mbar范圍內(nèi)達(dá)讀數(shù)±1% 100%線(xiàn)性壓力讀數(shù)（與氣體種類(lèi)無(wú)關(guān)）長(zhǎng)期穩(wěn)定性：年漂移率<1.5% 不銹鋼傳感器抗腐蝕與沉積安全潔凈測(cè)量：無(wú)污染/無(wú)熱輻射/無(wú)電離效應(yīng); 上海伯東德國(guó) Pfeiffer P3 旋片真空泵油

潤(rùn)滑油; 上海伯東Hakuto 離子蝕刻機(jī),離子刻蝕機(jī)

伯東公司日本原裝設(shè)計(jì)制造離子蝕刻機(jī) IBE. 提供微米級(jí)刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿(mǎn)足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料; 上海伯東離子蝕刻機(jī),離子蝕刻機(jī)

伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.; 上海伯東離子蝕刻機(jī),離子刻蝕機(jī)

伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.; 上海伯東NS離子蝕刻機(jī),離子刻蝕機(jī)

上海伯東日本原裝進(jìn)口適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究的離子蝕刻機(jī), 一般通氬氣 Ar, 內(nèi)部使用美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產(chǎn)生轟擊離子; 終點(diǎn)檢出器采用 Pfeiffer 殘余質(zhì)譜監(jiān)測(cè)當(dāng)前氣體成分, 判斷刻蝕情況.; Atonarp 適用于半導(dǎo)體過(guò)程控制在線(xiàn)質(zhì)譜儀 Aston?

Aston? 特性實(shí)時(shí)過(guò)程控制的通用工具, 耐腐蝕性氣體, 抗冷凝半導(dǎo)體制造的分子分析原位平臺(tái), 提供實(shí)時(shí), 可操作的數(shù)據(jù) 采用等離子體電離源, 無(wú)燈絲, 更耐用可與大批量生產(chǎn)工具完全集成 Aston? 作為一個(gè)強(qiáng)大的平臺(tái), 可以取代多種傳統(tǒng)工具, 提供前所未有的控制水平, 包括光刻, 電介質(zhì)和導(dǎo)電蝕刻及沉積, 腔室清潔, 腔室匹配和消解.