半導體行業(yè)正在朝著更小的線寬和更多的層的方向發(fā)展。邁向這種高密度芯片技術(shù)的Z重要的工藝考慮之一是對平面化步驟的更復雜的控制。拋光步驟受膠體分散金屬氧化物漿料（CMP，化學機械平面化的簡稱）的影響，主要是二氧化硅和氧化鋁，平均直徑在10nm-200nm范圍。這些漿料被用于放置晶圓片的旋轉(zhuǎn)拋光墊上。在過去，激光衍射Z常用來表征這些漿料的粒度分布。人們一直都知道，這些漿料中含有的體積百分比小于1 微米的顆粒。這些顆粒會在晶圓片表面造成劃傷和其他缺陷。本文將證明，由于測量的性質(zhì)，激光衍射法不足以定量測定不合規(guī)格的漿料顆粒的濃度。另一方面，單粒子光學粒度（SPOS）可對顆粒進行計數(shù)，將被證明是表征CMP 漿料的一個很好的工具。