Gentle Mill 離子精修儀--用于制備高質(zhì)量 TEM/FIB 樣品的離子束工作站

Technoorg Gentle Mill 離子精修儀產(chǎn)品專為最終拋光、精修和改善 FIB 處理后的樣品而設(shè)計(jì)。 Gentle Mill 型號非常適合要求樣品無加工痕跡、表面幾乎沒有任何損壞的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用戶。 同時(shí)，Gentle Mill 還適用于快速減薄凹坑或超薄平面 (< 25 μm) 以及機(jī)械拋光樣品。

產(chǎn)品特色：

• 快速、可靠地精修和處理 TEM 和 FIB 樣品

• 帶有預(yù)編程的設(shè)置，可進(jìn)行自動(dòng)化操作

• 可應(yīng)用于工業(yè)環(huán)境中

• 直接匹配日立 FIB-STEM/TEM 系統(tǒng) 3D 樣品臺

性能參數(shù)

低能離子槍（固定型）

• 離子能量：100 - 2000 eV，連續(xù)可調(diào)

• 離子電流密度：最大 10 mA/cm2

• 離子束流：7 - 80 μA，連續(xù)可調(diào)

• 離子束直徑：750 - 1200 μm (FWHM)電控優(yōu)化的工作氣流

• 在 2000 eV 離子能量和 30° 入射角下，c-Si 的研磨速率為 28 μm/h

樣品臺

• 切削角度：0° - 40°，每 0.1° 連續(xù)可調(diào)

• 可進(jìn)行計(jì)算機(jī)控制的平面內(nèi)樣品旋轉(zhuǎn)和擺動(dòng)（從 ±10° 到±120°，每 10° 連續(xù)可調(diào)）

• 可適用的 TEM 樣品的厚度范圍 (30 -200 μm)

樣品處理

•  用于快速樣品交換的真空鎖系統(tǒng)

• 全機(jī)械、無膠裝載

• 專為 XTEM 樣品設(shè)計(jì)的鈦夾和封裝技術(shù)

真空系統(tǒng)

 Pfeiffer 真空系統(tǒng)配備無油隔膜和渦輪分子泵，配備緊湊的全范圍 Pirani/Penning 真空計(jì)

供氣系統(tǒng)

• 99.999% 純氬氣，絕對壓力為 1.3 - 1.7 bar

• 帶有電子出口壓力監(jiān)測功能的惰性氣體專用壓力調(diào)節(jié)器

• 工作氣體流量高控制準(zhǔn)確

成像系統(tǒng)

• 用于全視覺控制和切削監(jiān)控/終止的 CMOS 相機(jī)圖像

• 高分辨率彩色 CMOS 相機(jī)

• 50 - 400 倍放大范圍的手動(dòng)變焦視頻鏡頭

電腦控制

• 內(nèi)置工業(yè)級計(jì)算機(jī)

• 簡單便捷的圖形界面和圖像分析模塊

• 通過鼠標(biāo)點(diǎn)擊或拖動(dòng)輕松控制所有重要參數(shù)

• 高度自動(dòng)化的操作機(jī)制，最大限度地減少人工干預(yù)

• 支持預(yù)編程或手動(dòng)調(diào)節(jié)切削和拋光次數(shù)

• 自動(dòng)終止：圖像分析模塊支持的切削過程的光學(xué)終止（ 通過檢測薄區(qū)穿孔或監(jiān)測表面形貌）

電源要求

100 - 120 V/3.0 A/60 Hz 或 220 - 240 V/1.5 A/50 Hz &#x2012; 單相

應(yīng)用案例

01. Gentle Mill 對在各種 FIB 制備的樣品進(jìn)行低能量 Ar+ 氬離子研磨顯著降低了受損的非晶表面層的厚度。可以實(shí)現(xiàn)對 65 nm 節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體器件進(jìn)行原子級結(jié)構(gòu)分析。

02. Si 中的晶面[110]。 使用 Gentle Mill 在 200 eV 離子能量和 3°入射角下通過 Ar+ 氬離子研磨對樣品進(jìn)行減薄。圖片由勞倫斯伯克利實(shí)驗(yàn)室國家電子顯微鏡中心提供。

03. GaSb/InAs 超晶格。 使用 Gentle Mill 制備樣品：在 2000 eV 下減薄直至穿孔，然后在 1000 eV 下修整，最后在 300 eV 下精修。 圖片由 Technion（以色列）提供。