摘要：研究了不經(jīng)基體分離，膜去溶一ICP MS法直接測(cè)定高純CeO2中14種痕量稀土雜質(zhì)的分析方法，討論了ce基體產(chǎn)生的多原子離子對(duì)被測(cè)元素的質(zhì)譜干擾，并且對(duì)影響多原子離子產(chǎn)率的因素進(jìn)行了分析，同時(shí)建立了Pr，Gd，rrb和Yb數(shù)學(xué)校正方程通過(guò)使用膜去溶霧化器和優(yōu)化ICP．MS參數(shù)，消除了Cel ，CeO2 和CeO2H 產(chǎn)生的質(zhì)譜干擾，將CeO／Ce產(chǎn)率降為0．008％ ，同時(shí)結(jié)合數(shù)學(xué)校正方程徹底消除了CeO ，CeOH 和CeOH2 的質(zhì)譜干擾Pr，Gd，，rb和Yb的方法測(cè)定下限分別為0．08，0．1，0．15和0．008 g·g～ ，l4種稀土雜質(zhì)方法測(cè)定下限和為0．75 g·g一99．999％高純CeO2實(shí)際樣品測(cè)定加標(biāo)回收率為96％ ～103％ ，RSD為1．2％ ～4．3％ 關(guān)鍵詞：高純CeO ；膜去溶；數(shù)學(xué)校正；ICP．MS；多原子離子干擾；稀土 萊伯泰科Aridus II膜去溶霧化系統(tǒng)