AMICS自動化礦物學(xué)分析系統(tǒng) (MLA)
TM系列專用能譜儀(EDS) Quantax75
TM系列專用能譜儀(EDS)AZtec系列
光-電聯(lián)用顯微鏡法(CLEM)系統(tǒng) MirrorCLEM
日立熱場式場發(fā)射掃描電鏡 SU5000
日立高新超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000
?是專門為電子束敏感樣品和需zui大300萬倍穩(wěn)定觀察的先進(jìn)半導(dǎo)體器件,高分辨成像所設(shè)計。
新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計提高了低加速電壓性能。
0.4nm / 30kV(SE)
1.2nm / 1kV(SE)
0.34nm / 30kV(STEM)
用改良的高真空性能和無與倫比的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)gao效率截面觀察。
采用全新設(shè)計的Super E x B能量過濾技術(shù),高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
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已咨詢2431次電子顯微鏡
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已咨詢2600次場發(fā)射
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已咨詢1209次掃描電子顯微鏡
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已咨詢526次掃描電鏡(SEM )
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已咨詢2027次掃描電鏡(SEM)
報價:$480000
已咨詢3064次
報價:¥1950000
已咨詢111次二手光學(xué)儀器
報價:面議
已咨詢1048次場發(fā)射掃描電鏡SEM4000
S-4800型高分辨場發(fā)射掃描電鏡(簡稱S-4800)為日本日立公司于2002年推出的產(chǎn)品。該電鏡的電子發(fā)射源為冷場,物鏡為半浸沒式。在高加速電壓(15kV)下,S-4800的二次電子圖像分辨率為1 nm,這是目前半浸沒式冷場發(fā)射掃描電鏡所能達(dá)到的最高水平。該電鏡在低加速電壓(1kV)下的二次電子圖像分辨率為2nm,這有利于觀察絕緣或?qū)щ娦圆畹臉悠?。S-4800的主要附件為X射線能譜儀。
二手 日立 SEM+EDX 冷場電鏡SU8000系列高分辨場發(fā)射掃描電鏡,其中SU8020不光1kv的分辨率提升到1.3nm,并且在探測器設(shè)計上有新的突破,配置了Lower、Up-per和Top三個Everhart-Thornley型探測器,可以接受SE、LA-BSE和HA-BSE多種信號,實現(xiàn)微區(qū)的形貌襯度、原子序數(shù)襯度、結(jié)晶襯度和電位襯度的觀測;結(jié)合選配的STEM探測器。
日立SU-8010是日立高新技術(shù)的SEM的全新品牌,新品牌 "REGULUS系列" 電子光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行了最優(yōu)化處理,使得著陸電壓在1KV時分辨率較前代機(jī)型提高了約20%。另外,最適合低加速電壓下高分辨觀察的冷場電子槍可將樣品的細(xì)節(jié)放大,并獲得高質(zhì)量的圖片。最大放大倍率也由之前的100萬倍提高到了800萬倍。除此之外,為了能更好的應(yīng)對不同樣品的測試和保持并發(fā)揮出高性能,還對用戶輔助工能進(jìn)行了強(qiáng)化。
日本電子掃描電鏡JSM-IT300型是一款高性能,多功能,多用途的鎢燈絲掃描電鏡。顛覆性的前衛(wèi)性外觀設(shè)計還特別吸引眼球。操作改為觸摸屏控制,簡單化,從此操作電鏡非常只能化。
掃描電子顯微鏡主要用于觀察物體的表面形貌像,除此意外,如果配備能譜分析系統(tǒng),在進(jìn)行獲得樣品表面像的時候,還可以對樣品的某個定點位置進(jìn)行元素的半定量分析。根據(jù)EDS分析出的元素比例,進(jìn)行擬合處理,可以大概的判斷出樣品是什么類型的樣品。
SU3900/SU3800 SE系列作為FE-SEM產(chǎn)品,配置超高分辨率與觀察能力。此系列突破了傳統(tǒng)SEM產(chǎn)品受安裝樣品尺寸與重量的限制,通過簡單的操作即可實現(xiàn)數(shù)據(jù)采集??捎糜阡撹F等工業(yè)材料,汽車、航空航天部件等超大、超重樣品的觀察。 此外,SE系列包括4種型號(兩種類型,兩個等級),滿足眾多領(lǐng)域的測試需求。用戶可以根據(jù)實際用途(如微觀結(jié)構(gòu)控制:用于改善電子元件、半導(dǎo)體等材料的功能和性能;異物、缺陷分析:用于提高產(chǎn)品品質(zhì))選擇適合的產(chǎn)品。
德國Zeiss 場發(fā)射電子顯微鏡SIGMA 300 ,ZLGemini鏡筒,超高的束流穩(wěn)定性,超高的束流穩(wěn)定性,zhuo越的低電壓性能,In Lens 探測器,磁性材料高分辨觀察,ding級X射線分析設(shè)計,便越操作系統(tǒng)設(shè)計,超大空間,多接口,升級靈活。
德Zeiss 電子束直寫儀 Sigma SEM,利用曝光抗蝕劑,采用電子束直接曝光,可在各種襯底材料表面直寫各種圖形,圖形結(jié)構(gòu)(Z小線寬為10nm),是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應(yīng)用于納米器件,光子晶體,低維半導(dǎo)體等前沿領(lǐng)域。