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適合納米材料研究的高分辨掃描透射電鏡一體機(jī) Pharos STEM

面議 (具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn))
飛納電鏡 Pharos-STEM 歐洲 荷蘭 2026-04-14 10:04:34
售全國 入駐:8年 等級:銀牌 營業(yè)執(zhí)照已審核
同款產(chǎn)品:場發(fā)射掃描電鏡(5件)
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產(chǎn)品特點(diǎn):

Phenom Pharos-STEM 掃描透射電子顯微鏡從另一個維度提高了其成像能力和應(yīng)用的多樣性。

產(chǎn)品詳情:

適合納米材料研究的高分辨掃描透射電鏡一體機(jī) Pharos STEM


Phenom Pharos 臺式場發(fā)射掃描電鏡因其多功能性和卓越的成像性能贏得了良好的口碑 —— 即使是在傳統(tǒng)較難觀測的樣品中也表現(xiàn)優(yōu)異。直觀的用戶界面有助于將高分辨率圖像呈現(xiàn)給用戶, FEG 場發(fā)射電子源在 1-20kV 的加速電壓范圍內(nèi)都提供了高分辨率。

Phenom Pharos-STEM 掃描透射電子顯微鏡,配備了 STEM 樣品杯,從另一個維度提高了其成像能力和應(yīng)用的多樣性。


新品發(fā)布.png


作為臺式 Phenom Pharos-STEM 掃描透射電子顯微鏡,在較低的加速電壓下,減少了電子束對樣品的損傷,顯著提高了圖像的襯度。在臺式掃描電鏡下即可快速獲得高分辨的 BF 像、DF 像、HAADF 像,且支持用戶自定義成像。Pharos STEM 樣品杯為材料領(lǐng)域的研究提供了高效、全面的表征方式。


STEM.png

BF 像:主要是樣品正下方同軸的探測器接收透射電子和部分散射電子。影響明場像襯度(Contrast)的主要因素是樣品的厚度和成分。樣品越厚,原子序數(shù)(Z)越大,穿透樣品的電子越少,圖像就越暗,因此 BF 像對輕元素(Z 較?。┍容^敏感。

DF 像:主要是樣品下方非同軸位置的探測器接收散射電子信號。

HAADF 像:主要是接收高角度的非相干散射電子信號。原子序數(shù)(Z)越大,散射角也越大,原子核對入射電子的散射作用越強(qiáng),圖像上更亮。因此又被稱為 Z 襯度像。

三種成像模式各有特點(diǎn),具有不同的成像優(yōu)勢,可以根據(jù)樣品情況搭配使用,成像結(jié)果進(jìn)行互相驗(yàn)證。


案例一:多壁碳納米管及其催化劑


多壁碳納米管及其催化劑1.png


案例二:煙草花葉病毒


煙草花葉病毒.png

煙草花葉病毒的BSE 像、BF 像、 DF 像和 HAADF 像


對比掃描電鏡的背散射電子圖像(BSE),桿狀的煙草花葉病毒在 BF 模式下更加直觀。BF 模式更適合觀察輕元素(Z 較?。?,輕元素散射作用較弱,因此在 HAADF 模式下較難清晰觀測細(xì)節(jié)。


而桿狀煙草花葉病毒周圍較厚的脂質(zhì)球,電子較難穿透,BF 像上相對較暗。在 DF 模式下,密度較大的脂質(zhì)球表現(xiàn)出較強(qiáng)的衍射,因此在 DF 像上相對較亮。

規(guī)格參數(shù):


  • 系統(tǒng)兼容:Phenom Pharos G2 臺式場發(fā)射掃描電鏡

  • 樣品兼容:ø 3mm TEM 載網(wǎng)(夾具固定)

  • 成像時間:< 40 s*

  • 成像模式:BF、DF、HAADF、 自定義**

  • 成像工作流程:固定的 WD,設(shè)置最優(yōu)的探測器 ,完全集成的 UI

  • 真空度:0.1, 10 & 60 Pa

  • 分辨率:優(yōu)于 1 nm


* 加載樣品到呈現(xiàn)圖像的時間
** STEM 具有 11 分割探測器,用戶可以對其進(jìn)行自定義選擇


具體詳情以Phenom Pharos-STEM 掃描透射電子顯微鏡產(chǎn)品資料為準(zhǔn)


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